WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


Pages:     || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 9 |
В.Л. Ткалич А.В. Макеева Е.Е. Оборина Физические основы наноэлектроники Санкт-Петербург 2011 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ И ОПТИКИ В. Л. Ткалич, А. В. Макеева, Е. Е. Оборина ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие Санкт-Петербург 2011 УДК 389.001  Ткалич В.Л., Макеева А.В., Оборина Е.Е. «Физические основы наноэлектроники». Учебное пособие. СПб: СПбГУ ИТМО, 2011. – 83с.

В учебном пособии рассмотрены физические основные наноэлектроники.

Технологии создания твердотельных наноструктур, применение квантоворазмерных структур в приборах наноэлектроники.

Учебное пособие соответствует утвержденным учебным программам по направлениям 211000 – «Конструирование и производство электронновычислительных средств» для бакалавров и 210200.6805 – «Технологии и инструментальные средства проектирования электронных средств» для магистров.

Печатается по решению Совета факультета КТиУ СПбГУ ИТМО от 17.05.11 (протокол № 5).

В 2009 году Университет стал победителем многоэтапного конкурса, в результате которого определены 12 ведущих университетов России, которым присвоена категория «Национальный исследовательский университет».

Министерством образования и науки Российской Федерации была утверждена Программа развития государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики» на 2009–2018 годы.

© Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, 2011 © Ткалич В.Л., Макеева А.В., Оборина Е.Е., 2011 ОГЛАВЛЕНИЕ Введение.................................................................................................. 5 Глава 1. Свойства индивидуальных наночастиц........................... 7 1.1 Металлические нанокластеры.......................................................... 1.1.1 Магические числа........................................................................... 1.1.2. Геометрuческая структура........................................................... 1.1.3. Электронная структура................................................................. 1.1.4. Реакционная способность............................................................. 1.1.5. Магнитные кластеры.................................................................... 1.2. Полупроводниковые наночастицы............................................... 1.2.1. Оптические свойства.................................................................. 1.2.2. Фотофрагментация...................................................................... 1.3. Кластеры инертных газов.............................................................. 1.4. Заключение..................................................................................... Глава 2. Углеродные наноструктуры............................................. 2.1. Углеродные молекулы................................................................... 2.1.1. Природа углеродной связи......................................................... 2.2. Углеродные кластеры.................................................................... 2.2.1. Малые углеродные кластеры..................................................... 2.2.2. Фуллерен С60............................................................................... 2.2.3. Неуглеродные шарообразные молекулы.................................. 2.3. Углеродные нанотрубки................................................................ 2.3.1. Методы получения...................................................................... 2.3.2. Применение углеродных нанотрубок....................................... Глава 3. Объемные наноструктурированные материалы.......... 3.1. Разупорядоченные твердотельные структуры............................ 3.1.1. Методы синтеза........................................................................... 3.1.2. Основные свойства...................................................................... 3.1.3. Другие свойства........................................................................... Глава 4. Физические принципы наноэлектроники...................... 4.1. Наноэлектроника. Предисловие................................................... 4.2. Введение.......................................................................................... 4.3. Принцип квантования и квантовое ограничение........................ 4.3.1. Структуры с двумерным электронным газом.......................... 4.3.2. Структуры с одномерным электронным газом........................ 4.3.3. Структуры с нульмерным электронным газом........................ 4.4. Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров.. 4.4.1. Фазовая интерференция электронных волн............................. 4.4.2. Квантовый эффект Холла........................................................... 4.4.3. Приборы на интерференционных эффектах............................ 4.5. Туннелирование носителей заряда............................................... 4.5.1. Структуры с вертикальным переносом и квантовые сверхрешетки......................................................................................... 4.5.2. Одноэлектронное туннелирование............................................ 4.5.3. Приборы на одноэлектронном туннелировании...................... 4.5.4. Резонансное туннелирование..................................................... 4.5.5. Приборы на резонансном туннелировании..............................



4.6. Спиновые эффекты........................................................................ 4.6.1. Гигантское магнитосопротивление........................................... 4.6.2. Спин-зависимое туннелирование.............................................. 4.6.3. Манипулирование спинами носителей заряда в полупроводниках................................................................................... 4.6.4. Эффект Кондо.............................................................................. 4.6.5. Спинтронные приборы............................................................... Глава 5. Технологии создания твердотельных наноструктур... 5.1. Традиционные методы осаждения пленок.................................. 5.2. Методы, использующие сканирующие зонды............................ 5.3. Нанолитография............................................................................. 5.3.1. Нанопечать................................................................................... 5.3.2. Сравнение нанолитографических методов............................... 5.4. Саморегулирующиеся процессы.................................................. 5.4.1. Самоупорядочение...................................................................... 5.4.2. Самосборка.................................................................................. Глава 6. Применение квантово-размерных структур в приборах наноэлектроники................................................................................. 6.1. Лазеры с квантовыми ямами и точками...................................... 6.2. Фотоприемники на квантовых ямах............................................. 6.3. Квантово-точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика............................................................................... 6.4. Нанокомпьютеры........................................................................... История кафедры................................................................................ Список литературы............................................................................ ВВЕДЕНИЕ Данное учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 210200.«Технологии и инструментальные средства проектирования электронных средств», а также для бакалавров по направлению «Конструирование и проектирование электронно-вычислительных средств».

Наноэлектроника является новой областью науки и техники, формирующейся сегодня на основе последних достижений физики твердого тела, квантовой электроники, физической химии и технологии полупроводниковой электроники. Ее содержание определяется необходимостью установления фундаментальных закономерностей, определяющих физико-химические особенности формирования наноразмерных структур (структур с размером от единиц до десятков нанометров, 1 нм = 10- 9 м), их электронные и оптические свойства. Исследования в области наноэлектроники важны для разработки новых принципов, а вместе с ними и нового поколения сверхминиатюрных супербыстродействующих систем обработки информации.

Первым электронным переключающим прибором был вакуумный диод, запатентованный в 1904 году англичанином Д.А.

Флемингом. С тех пор развитие электроники отмечено изобретением и практическим освоением вакуумного триода (1906 год, Л. Де Форест и Р. Либен) и полупроводникового транзистора (1947 год, У. Браттейн, Дж. Бардин, У. Шокли), а затем интегральных микросхем на кремнии (1958-1959 годы), положившим начало новому направлению в электронике - микроэлектронике. Главной тенденцией этого развития является уменьшение размеров приборных структур. В современных интегральных микросхемах они составляют единицы и десятые доли микрона (1 мкм = 10- 6 м).

По мере приближения размеров твердотельных структур к нанометровой области, а это образования из единиц и десятков атомов, все больше проявляются квантовые свойства электрона. В его поведении преобладающими становятся волновые закономерности, характерные для квантовых частиц. С одной стороны, это приводит к нарушению работоспособности классических транзисторов, использующих закономерности поведения электрона как классической частицы, а с другой - открывает перспективы создания новых уникальных переключающих, запоминающих и усиливающих элементов для информационных систем. Последние и являются основным объектом исследований и разработок новой области электроники - наноэлектроники, зародившейся в 80-х годах нашего века.

Учебное пособие предназначается для применения как в учебном процессе, так и при выполнении научно-исследовательских работ.

Глава 1.

СВОЙСТВА ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ 1.1 Металлические нанокластеры 1.1.1 Магические числа Кластерами называются нанообъекты, состоящие из сравнительно небольшого числа атомов или молекул, от единиц до сотен тысяч. Кластеры имеют наноразмеры по трем направлениям.

Обычно кластеры делят на газовые и твердотельные, имея в виду источник их получения. Чтобы получить газовые кластеры, надо резко охладить газ, желательно при высоком давлении. Для получения твердотельных кластеров поверхность твердого тела облучают лазерным лучом или пучком заряженных частиц (электронов, ионов) с большой кинетической энергией. С поверхности материала при этом вылетает некоторое количество макроскопических капель, отдельные частицы и кластеры разных размеров. Затем кластеры направляют в специальный прибор – масс-спектрометр, позволяющий определить их распределение по массам, то есть по числу частиц в кластере.





Чаще всего в потоке кластеров встречаются кластеры, состоящие из определенного числа частиц, что означает, что эти кластеры наиболее устойчивы, стабильны. Эти числа называются магическими.

1.1.2. Геометрuческая структура С уменьшением диаметра кластера, резко возрастает соотношение величины поверхности к объему, из-за чего вклад поверхности в полную энергию становится все более важным. В результате этого, кластер стремится образовать как можно более сферичную поверхность, что для наночастиц ГЦК металлов приводит к формированию кубоктаэдрической формы. Ниже определенного критического размера у малых кластеров некоторых металлов, было замечено образование и иных кристаллических модификаций с икосаэдрической или декаэдрической 5-ти частичной симметрией.

Но полной ясности в понимании процесса формирования той или иной кристаллической фазы не наблюдается. Исследования с помощью электронного микроскопа высокого разрешения отчетливо показали, что могут наблюдаться изменения геометрии кластеров со временем. Эти изменения связаны с флуктуациями поверхностный атомов, колебания которых ограничены соседями слабее, чем колебания внутренних. А доля поверхностных атомов растет с уменьшением размера наночастиц.

1.1.3. Электронная структура Рис. 1.1. Расположение уровней в атоме (а), молекуле (б), нанокристалле (в), кристалле (г) Когда частица металла уменьшается в размерах до нескольких сотен атомов, плотность состояний (количество энергетических уровней в заданном интервале энергий) в зоне проводимости – в верхней зоне, содержащем электроны радикально меняется.

Непрерывная плотность состояний в зоне заменяется набором дискретных уровней. Маленький кластер аналогичен молекуле с ее дискретным набором энергетических уровней, связывающими и антисвязывающими орбиталями.

Данный эффект получил название квантового размерного эффекта – при уменьшении размера наночастиц энергия между энергетическими переходами, а значит и энергия квантов излучения увеличивается. Именно поэтому цвета окраски и излучения коллоидных растворов наночастиц зависят от их размера.

Кластеры разных размеров имеют разную электронную структуру и, соответственно, разные расстояния между уровнями.

1.1.4. Реакционная способность Многочисленные экспериментальные результат свидетельствуют о зависимости реакционной способности (характеристика химической активности веществ, учитывающая как разнообразие реакций, возможных для данного вещества, так и их скорость) наночастиц от количества атомов в них.

1.1.5. Магнитные кластеры В кластере магнитный момент каждого атома взаимодействует с моментами других атомов, что может выстроить все моменты в одном направлении по отношению к какой либо оси симметрии кластера.

Такой кластер обладает суммарным ненулевым магнитным моментом.

Однако атомы в кластере колеблются, причем энергия колебаний увеличивается с ростом температуры. Эти колебания вызывают некоторое разупорядочивание магнитных моментов отдельных атомов кластера, так что его полным магнитным момент становится меньше, чем он был бы в случае строго параллельного положения всех атомов.

Магнитный момент отдельного кластера взаимодействует с приложенным постоянным полем таким образом, что его расположение по полю становится более вероятным, чем против поля.

Полный магнитный момент обратно пропорционален температуре.

Этот эффект называют суперпарамагнетизмом. Когда энергия взаимодействия магнитного момента кластера с приложенным магнитным полем больше энергии колебаний, усреднения из-за осцилляции не происходит, зато происходит усреднение из-за вращения кластера как целого. Такая ситуация называется магнетизмом вмороженных моментов[1].

1.2. Полупроводниковые наночастицы 1.2.1. Оптические свойства Оптические спектры поглощения существенно сдвигаются в голубую сторону (в сторону уменьшения длин волн) при уменьшении размеров частиц. Это объясняется локализацией экситонов, связанных электрон-дырочных пар, образующихся под действием фотона с энергией больше ширины щели для данного вещества. Возможны две ситуации, называемые режимами слабой и сильной локализации. В режиме слабой локализации радиус наночастицы больше радиуса экситона, но область перемещения экситона ограничена, что приводит к смещению спектра поглощения в голубую сторону. Когда радиус частицы меньше радиуса орбиты электрон дырочной пары, движение электрона и дырки становятся независимыми и экситон перестает существовать. Электрон и дырка имеют собственные наборы энергетических уровней. Это также приводит к голубому смещению и к возникновению нового набора линий поглощения.

Таким образом, при уменьшении размеров наночастицы наименьшая энергия поглощения, называемая границей поглощения, сдвигается в сторону больших энергий, щель увеличивается, увеличивается и интенсивность поглощения.

1.2.2. Фотофрагментация При облучении лучом лазера с модулируемой добротностью наблюдалась фрагментация наночастиц. Продукты зависят от размера кластера, интенсивности светового пучка и длины волны. Зависимость сечения фотофрагментации (меры вероятности развала кластера) под действием излучения лазера от размера фрагментов наночастиц показала, что диссоциация частиц одних размеров более вероятна, чем других.

Многократная ионизация кластера вызывает его нестабильность, что приводит к очень быстрой высокоэнергичной диссоциации, или взрыву. Скорость разлета фрагментов в этом процессе очень высока.

Pages:     || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 9 |










© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.