WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


Pages:     | 1 | 2 || 4 | 5 |   ...   | 6 |

н получения заданного изображения аноды-сегменты и все изображение Uвых знака формируется одновременно. Формирование изображения R = н мультиплексным способом осуществляется применительно к Iвых - Iб вакуумным люминесцентным индикаторам, имеющим два канала управления, таким как многоразрядные индикаторы с параллельно Через транзистор VT2 течет суммарный ток всех сегментов одного соединенными анодами-сегментами и раздельными для каждого индикатора:

знакоместа сетками. Так же управляют матричными и графическими вакуумными люминесцентными индикаторами.

IкVT 2 = 7 Iи.сег При мультиплексном управлении в течение каждого момента времени формируется не полное изображение, а его отдельные элементы. Различают три способа мультиплексного управления с Зная выходной ток нуля вычитающих счетчиков DD1DD4 можно временной разверткой: по сеткам индикаторов; анодам-сегментам определить минимальное значение статического коэффициента передачи индикаторов; знакам.

тока транзистора VT2:

При первом способе знаки поочередно синтезируются на каждом знакоместе (рис. 2.1). Аноды-сегменты возбуждаются со скважностью Iк = 0 Q, равной числу знакомест. Средняя яркость свечения анодов в Q раз IВЫХ меньше мгновенной.

При втором способе напряжение возбуждения подается на Зная Iк, Uп и выбираем транзистор VT2. Сопротивление Rбодноименные аноды-сегменты, участвующие в формировании определяется из выражения:

отображаемых знаков, а положительные напряжения на сетки отдельных знакомест подаются в моменты анодной развертки, Uп -UбэVT 2 -UВЫХ, которые соответствуют синтезируемой цифре в данном знакоместе Rб2 = Iб (рис. 2.2). Средняя яркость свечения анодов ниже мгновенной в n раз (n — число сегментов в одном разряде).

где Uп – напряжение питания, Uбэ – напряжение база – эмиттер в режиме насыщения, UВЫХ - выходное напряжение логического нуля вычитающего счетчика.

33 Из сравнения устройств, реализующих различные типы разверток, следует, что наиболее простое (по числу узлов управления) устройство развертки по сеткам, хотя выбор оптимального вида развертки в общем случае определяется структурой кода источника информации и числом отображаемых знаков.

Рис.2.1.Структурная схема мультиплексного управления вакуумными люминесцентными индикаторами с сеточной разверткой Обычно знакосинтезирующие индикаторы отображает ограниченное число знаков, например цифры от 0 до 9 и запятую. В этих случаях можно использовать развертку по знакам Рис.2.2.Структурная схема мультиплексного управления (фазоимпульсный способ индикации), при которой на параллельно вакуумными люминесцентными индикаторами с анодной разверткой включенные аноды-сегменты всех знакомест поочередно подаются напряжения, соответствующие каждому из 11 знаков, а положительное напряжение подается на сетку того знакоместа, на котором в настоящее время должен отображаться соответствующий знак (рис. 2.3). Средняя яркость свечения при знаковой развертке в n раз меньше мгновенной (n-— число отображаемых знаков).

Для однородного свечения анодов-сегментов на всех знакоместах индикатора при любом способе мультиплексного управления необходимо обеспечить равенство скважностей высвечивания каждого из анодов, участвующих в формировании отображаемого знака.

Частота повторения должна превышать критическую частоту мельканий, при которой глаз может заметить мерцание отображения (практически >50 Гц).

35, Rа Iут.MAX где - максимальный ток утечки транзистора.

Iут.MAX Рис. 2.4. Схема подключения анодного напряжения с использованием шунтирующего ключа Рис.2.3.Структурная схема мультиплексного управления вакуумными люминесцентными индикаторами с фазоимпульсным методом индикации Вакуумными люминесцентными индикаторами требуется три напряжения питания: анодное, сеточное и накала. Существует два варианта подключения анодного источника питания:

- через последовательный ключ (рис. 2.4 ) - с использованием шунтирующего ключа (рис. 2.5 ) Очевидно, что для коммутации анодного и сеточного напряжения в вакуумных люминесцентных индикаторах предпочтительнее вариант с последовательным ключом. Ключ можно выполнить как на биполярном, Рис. 2.5. Схема подключения анодного напряжения через так и на полевом транзисторах. Целесообразнее применять биполярные последовательный ключ транзисторы с p-n-p структурой и полевые с каналом р - типа. При выборе ключей следует учитывать их ток утечки в выключенном состоянии и для При управлении по цепи сетки (например, в динамическом или исключения паразитной подсветки анодов в выключенном состоянии статическом импульсном режимах) также возможны два варианта шунтировать промежутки анод-катод резисторами, величина которых подключения источника сеточного напряжения. При использовании определяется из выражения:

последовательного ключа для надежного запирания индикатора на время, когда на сетке нет входного сигнала, на нее необходимо подавать запирающее напряжение. Сопротивление сетки определяется из 37 выражения: Расчет элементов схемы начинаем с выбора типа индикатора и определения его номинальных параметров Uа, Iа, Uн и Iн. Зная ток анода и 0,05Uз напряжение анода можно определить сопротивление в анодной цепи:

, Rc Uп -UкэVT1 -Uа Iут.MAX Ra = Iа где U3 – запирающее напряжение на сетке, Сопротивление в цепи базы определяется исходя из тока базы. Ток базы Iут.MAX - максимальный ток утечки ключа в цепи сетки при насыщения определяется по формуле:

выбранном сеточном напряжении.

Iк Iа, Iбн = = Статический режим работы индикаторов. Принципиальная схема управления одноразрядным семисегментным индикатором в статическом непрерывном режиме приведена на рисунке 2.6.

где – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ.

Задавшись степенью насыщения S равной 2, определим ток базы:

Iб = S Iбн = 2 Iбн Выходной ток дешифратора должен быть много больше тока базы. Зная ток базы найдем сопротивление в цепи базы:

Uп-UВЫХ Rб = 10 Iб Однако для этой схемы управления необходимо, чтобы выполнялось условие:

U1 Uп ВЫХ Если это условие не выполняется, то необходимо использовать другую схему управления индикаторами (рис.2.7).

Рис. 2.6. Принципиальная схема управления одноразрядным семисегментным индикатором в статическом непрерывном режиме 39 тока определяем ток базы насыщения:

Iк Iбн = Базовый ток находим с учетом степени насыщения S = 2:

Iб = S Iбн = 2 Iбн Теперь можно найти сопротивление в цепи базы:

U1 -UбэVT ВЫХ Rб = Iб Динамический режим работы индикаторов. При работе вакуумного люминесцентного индикатора в статическом импульсном или динамическом режиме анодное и сеточное напряжение увеличивается пропорционально скважности в степени 2/5:

Uа.и. =Uаq2/Uc.и. =Ucq2/Рис.2.7. Принципиальная схема управления одноразрядным где Uа.и. – импульсное анодное напряжение, семисегментным индикатором в статическом непрерывном режиме Uа – постоянное анодное напряжение, q – скважность, Uс.и. – импульсное сеточное напряжение, В этой схеме используется дешифратор с активным единичным уровнем на Uс – постоянное сеточное напряжение.

выходе. Сопротивление в анодной цепи задает ток через индикатор и определяется выражением:

Принципиальная схема управления вакуумным люминесцентным индикатором в динамическом режиме приведена на рис. 2.8. Для работы Uп-Uа Rа = элементов принципиальной схемы определяем импульсное анодное и Iа сеточное напряжения:

Ток коллектора открытого транзистора можно определить по формуле:

Uа.и. =Uаq2/Uп-Uа Uc.и. =Ucq2/Iк = Rа Т.к. с увеличением анодного напряжения увеличивается Зная ток коллектора и напряжение питания, выбираем транзисторы соответственно анодный и сеточный токи. Увеличение тока в индикаторе VT1VT7. По току коллектора и статическому коэффициенту передачи происходит пропорционально напряжения с степени 3/2 (как и для любой 41 электронной лампы: Расчет сеточной цепи аналогичен расчету анодной цепи.

Недостатком приведенной схемы является требование равенства 3 выходного напряжения логической единицы напряжению питания:

52 Iа.и. = Iаq = Iаq 3 52 UВЫХ Uп Ic.и. = Icq = Icq Если это условие невозможно обеспечить, то необходимо перейти от Зная анодное напряжение и анодный ток выбираем напряжение питания и схемы с последовательным ключом (рис.2.4) к схеме с параллельным рассчитываем анодное сопротивление:

ключом (рис.2.5). Принципиальная схема управления вакуумным люминесцентным индикатором для этого случая приведена на рис.2.9.

Uп -UбэVT1 -Uа.и Ra = Импульсное анодное и сеточное напряжение определяется также как и в Iа.и предыдущей схеме рис. 2.8:

Аналогично рассчитываем сопротивление в цепи сетки:

Uа.и. =Uаq2/Uп -UбэVT 2 -Uс.и Uc.и. =Ucq2/Rс = Iс.и Анодный и сеточный импульсные токи также рассчитываются аналогично По требуемому току и напряжению выбираем тип транзистора VT1 и VT2. схеме, показанной на рис. 2.8:

3 Ток базы насыщения транзистора VT1 определяем по формуле:

Iа.и. = Iаq = Iаq Iк Iа.и 3 Iбн = = Ic.и. = Icq = Icq С учетом степени насыщения S равной 2, определяем ток базы:

Зная ток и напряжение анода, выбираем тип транзистора VT1.

Сопротивление анодной цепи определяется из выражения:

Iб = S Iбн = 2 Iбн Uп -Uа.и Ra = Зная ток базы можно определить величину сопротивления в цепи базы:

Iа.и Uп -UбэVT1 -UВЫХ, Ток коллектора транзистора определяем по формуле:

Rб = Iб Uп -UкэVTIк = где Uп – напряжение питания, Rа UбэVT1 - напряжение база-эмиттер транзистора VT1, UВЫХ - выходное напряжение логического нуля.

43 Рис. 2.8. Схема управления вакуумными люминесцентными индикаторами в динамическом режим ес последовательным ключом Рис. 2.9. Схема управления вакуумными люминесцентными индикаторами в динамическом режиме с параллельным ключом Находим ток базы насыщения транзистора VT1: Зная ток базы, можно найти сопротивление в цепи базы:

Iк U1 -UбэVT 2, ВЫХ Iбн = Rб2 = Iб С учетом степени насыщения S равной 2, ток базы будет равен: где UбэVT 2 - напряжение база-эмиттер транзистора VT2в режиме насыщения, Iб = S Iбн = 2 Iбн - выходное напряжение дешифратора DD2 в режиме UВЫХ логической единицы.

Зная ток базы найдем сопротивление в базовой цепи:

При использовании фазоимпульсного способа индикации в анодной U1 -UбэVT1, ВЫХ цепи возможно использование только последовательного ключа, в Rб1 = Iб сеточной цепи можно использовать как последовательный ключ (рис.2.10), так и параллельный (рис.2.11).

Произведем расчет элементов принципиальной схемы для где UбэVT1 - напряжение база-эмиттер в режиме насыщения, последовательного ключа в цепи сетки (рис.2.10). Импульсное - выходное напряжение дешифратора в режиме UВЫХ анодное напряжение находиться по формуле:

логической единицы.

Uа.и. =Uаq2/5, Сопротивление в сеточной цепи находится из выражения:

где Uа – постоянное анодное напряжение, Uп -Uс.и q – скважность импульсов возбуждения.

Rс = Iс.и Импульсный анодный ток находим из выражения:

Ток коллектора транзистора VT2 будет определяться сопротивлением Rс:

, Iа.и. = Iаq Uп -UкэVT Iк = где Iа – постоянный анодный ток одного сегмента индикатора, Iс.и q – скважность импульсов возбуждения.

Находим ток базы насыщения транзистора VT2:

Зная импульсный анодный ток одного сегмента, найдем максимальный ток коллектора транзистора VT1:

Iк Iбн =, IкMAX = N Iа.и.

С учетом степени насыщения S равной 2, ток базы будет равен:

где N – количество индикаторов, Iа.и. – импульсный анодный ток.

Iб = S Iбн = 2 Iбн 47 Минимальный импульсный ток коллектора транзистора VT1 равен импульсному току одного сегмента: Зная ток базы, рассчитаем сопротивление в цепи базы:

IкMIN = Iа.и.

Uп -UбэVT1 -UВЫХ, Rб1 = Iб Зная импульсное анодное напряжение выбираем напряжение питания схемы, которое должно превышать Uа.и.. По максимальному току где Uп – напряжение питания, коллектора и Uп выбираем тип транзистора VT1. Зная ток коллектора Uбэ – напряжение база-эмиттер транзистора VT1 в режиме и статический коэффициент, найдем ток базы насыщения:

насыщения, – выходное напряжение логического нуля дешифратора UВЫХ IкMAX Iб = DD5.

Переходим к расчету сеточной цепи. Импульсное сеточное Зная ток базы рассчитываем сопротивление в цепи базы:

напряжение определяется аналогично анодному:

Uп -UбэVT1 -UВЫХ Uс.и. = Uс q2/5, Rб1 = Iб где Uс – постоянное сеточное напряжение, Минимальный импульсный ток коллектора транзистора VT1 равен q – скважность импульсов возбуждения.

импульсному току одного сегмента:

Импульсный сеточный ток равен:

IкMIN = Iа.и.

, Iс.и. = Iсq Зная импульсное анодное напряжение выбираем напряжение питания где Iс – постоянный ток сетки, схемы, которое должно превышать Uа.и. По максимальному току q – скважность импульсов возбуждения.

коллектора и Uп выбираем тип транзистора VT1. Зная ток коллектора и статический коэффициент передачи тока, найдем ток базы Ток сетки является коллекторным током транзистора VT2. Зная ток насыщения:

коллектора и напряжение питания выбираем тип транзистора VT2.

Затем рассчитываем резистор в цепи сетки Rс:

IкMAX Iбн = Uп -UкэVT 2 -Uс.и.

, Rс = Iс.и.

Для случая, когда на всех индикаторах отображается одна и та же цифра, выбираем степень насыщения S равной 1, тогда для случая, где Uп – напряжение питания, когда на индикаторах отображаются разные цифры степень Uкэ – напряжение коллектор-эмиттер транзистора VT2 в насыщения S будет равна 4. Отсюда ток базы будет равен:

режиме насыщения, Uс.и. – импульсное напряжение на сетке.

IкMAX Iб = Зная ток коллектора, найдем ток базы насыщения:

49 Iк Iс.и Iбн = = Uп -UкэVT Iк = Rс С учетом степени насыщения S, равной 2, находим ток базы:

Зная ток коллектора и напряжение питания можно выбрать тип Iб = S Iбн = 2 Iбн транзистора VT2.

Найдем ток базы насыщения:

Зная Iб можно найти величину сопротивления в цепи базы:

Iк Iбн = Uп -UбэVT 2 -UВЫХ, Rб2 = Iб С учетом степени насыщения S, равной 2, найдем ток базы:

где Uп – напряжение источника питания, Iб = S Iбн = 2 Iбн Uбэ – напряжение база-эмиттер в режиме насыщения, - выходное напряжение логического нуля счетчиков Ток базы должен быть меньше или равен. Зная базовый ток, UВЫХ IВЫХ DD1DD4.

можно найти сопротивление в цепи базы:

Для схемы с параллельным ключом в сеточной цепи (рис.

U1 -UбэVT ВЫХ Rб2 = 2.11) расчет выходной цепи не изменяется, поэтому приведем пример Iб расчета элементов только сеточной цепи. Импульсное напряжение находим исходя из скважности:

, Uс.и. = Uс q где Uс – постоянное напряжение сетки, q – скважность импульсов возбуждения.

Импульсный сеточный ток также находим исходя из скважности:

Iс.и. = Iс q Зная сеточный ток и напряжение питания, найдем величину резистора в сеточной цепи:

Uп -Uс.и.

Rс = Iс.и.

Зная Rс, можно найти ток коллектора транзистора VT2:

51 Рис. 2.10. Схема фазоимпульсного способа индикации с последовательным ключом в сеточной цепи Рис.2.11. Схема фазоимпульсного способа индикации с паралельным ключом в сеточной цепи 3 УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ НА время действия управляющего импульса, дипольные моменты ОСНОВЕ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ молекул ЖК ориентируются параллельно вектору напряженности ИНДИКАТОРОВ электрического поля и рассеяние света быстро прекращается.

Способы управления индикаторными панелями (ИП) на Несмотря на простоту, этот способ неудобен, так как требует основе ЖК материалов определяются особенностями их использования устройства генерирования импульсов высокого физических свойств. Так, долговечность ЖКИ, работающего на напряжения.

постоянном токе, примерно на порядок ниже, чем при использовании переменного напряжения. Снижение долговечности в варианте постоянного тока обусловлено миграцией примесей к отражающему электроду под воздействием постоянной составляющей управляющего сигнала;

в результате — падает контрастность и растет напряжение возбуждения.

Предпочтительным оказывается возбуждение ЖКИ переменным током. В этом случае на электроды передней и задней пластин подаются импульсы напряжения прямоугольной формы (рис. 3.1,а) одинаковой полярности, но сдвинутые по фазе так, что управляющее напряжение представляет собой биполярный сигнал, не имеющий постоянной составляющей (рис. 3.1,б). Рис.3.2.Реакция ЖК ячейки на импульс управляющего напряжения: а- импульс управляющего напряжения;

Pages:     | 1 | 2 || 4 | 5 |   ...   | 6 |






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.