WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 ||

Параметры Значения исходных данных в соответствии с цифрой шифра 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Предпоследняя цифра шифра Номинал резистора 15600 2400 12400 4200 11600 3800 14400 1800 13800 R1, Ом Номинал резистора 7800 1200 6200 2100 5800 1900 7200 900 9600 R2, Ом Количество микро1 2 1 2 1 2 1 2 1 сборок на подложке Последняя цифра шифра Номинал конденса2000 3800 2000 4700 2400 3000 4300 5600 3300 тора С1, пФ Номинал конденса4000 7800 4400 9400 4800 6000 8600 11200 6600 тора С2, пФ Рабочее напряжение конденсаторов, 9 12 3,9 10 8 3,8 11 6 3,7 В Материал диэлектрика конденсато- GeO SiO Sb2S3 SiO GeO Sb2S3 SiO GeO Sb2S3 SiO ров Мощность рассеяния каждого рези- 14 9 13 7 12 8 11 5 10 стора, мВт Материал резистоМЛТ-3М Gr МЛТ-3М Ta МЛТ-3М Gr NiGr Ta NiGr Gr ров Технология изготовления Ионно Ионно Ионно испарение испарение испарение испарение испарение испарение плазменное плазменное плазменное распыление распыление распыление распыление Плазменное Термическое Термическое Термическое Термическое Термическое Термическое Таблица Электрические Удельное Удельная Диэлектри- Электрическая Тангенс угла дихарактеристики сопротивле- мощность ческая про- прочность электрических материала рассеива- ницаемость Eпр, В/см ние R, Om потерь tg E ния W0, Вт/см Ta 500 2 - - NiCr 300 1 - - Cr 500 2 - - МЛТ-3М 500 1 - - 0,2- при Al - - - толщине пленки 0,25;

0,06 - при толщине пленки 0,мкм SiO - - 5 2*106 0.Sb2S3 - - 20 2*105 0.GeO - - 10 7*105 0.где d -толщина пленки диэлектрика, см;

Uр- рабочее напряжение конденсатора, В;

k - коэффициент, учитывающий дефекты в пленке диэлектрика (k=3... 4);

Eпр - электрическая прочность диэлектрика, В/см;

S в - площадь верхней обкладки конденсатора, см2;

- диэлектрическая проницаемость материала диэлектрика;

С - номинал емкости конденсатора, пФ;

N - число обкладок в конденсаторе (следует принять N=2);

tg - тангенс угла потерь конденсатора;

tg д - тангенс угла потерь материала диэлектрика;

- круговая частота; 1 Мгц;

r в - сопротивление верхней обкладки, Ом;

r н - сопротивление нижней обкладки, Ом.

Площадь нижней обкладки конденсатора определяется путем увеличения каждой стороны верхней обкладки на 400 мкм. Площадь, занимаемая пленкой диэлектрика, находится после увеличения сторон верхней обкладки на 800 мкм.

Расчет сопротивления обкладок выполняется после того, как установлена геометрическая форма конденсатора. Для этого ориентировочно выбирается типоразмер подложки и производится прикидка размещения на ней элементов микросборки. Сопротивление каждой обкладки вычисляется как произведение минимального числа квадратов, из которых состоит обкладка, на удельное сопротивление квадрата.

Чтобы найти удельное сопротивление квадрата, следует задаться толщиной обкладки и выбрать материал для ее изготовления. После расчета сопротивления обкладок вычисляются тангенс угла потерь и добротность конденсатора.

Необходимо стремиться к получению наибольшей добротности конденсаторов.

Справочные данные, требующиеся для расчета конденсаторов и сопротивлений, помещены в табл.2 и в приложении 2 данной методички.

После выполнения расчета пассивных элементов схемы производится окончательный выбор типоразмера подложки. Для этого определяется коэффициент использования подложки, который является одной из главных характеристик микросборки. Данный коэффициент представляет собой отношение рабочей площади подложки к общей площади, занимаемой элементами и контактными площадками для навесных выводов. Необходимо стремиться к тому. чтобы коэффициент использования подложки был близким к единице. Максимальное значение этого коэффициента не должно превышать трех.

При вычислении площади, занимаемой резисторами, следует учитывать только площадь резистивной пленки между контактными площадками, для конденсаторов - площадь, занимаемую пленкой диэлектрика.

Подложка выбирается из типового ряда, установленного в отечественной промышленности. Этот ряд состоит из следующих типоразмеров: 10х12, 10х16, 12х30, 12х48, 16х20, 16х30, 16х60, 20х24, 24х30, 30х48 мм.

Для проектируемой микросборки должна быть использована подложка из ситалла марки СТ50-1.

При разработке топологии микросборки необходимо руководствоваться следующими основными положениями.

Пленочные контактные площадки для присоединения внешних выводов должны располагаться по краям подложки вдоль больших ее сторон. Между краем подложки и контактной площадкой не должны находиться элементы схемы или проходить пленочные проводники. Не допускается присоединения на контактную площадку больше одного навесного вывода. контактные площадки должны иметь форму квадрата со стороной 500... 1000 мкм. Расстояние между контактными площадками должно быть не менее 200 мкм. Все пленочные элементы микросборки следует выполнять прямоугольной формы. Угол поворота коммутационных проводников на подложке должен составлять 900.

Расстояние между элементами и пленочными проводниками рекомендуется выбирать не меньше 200 мкм.

Все элементы микросборки, контактные площадки коммутационные пленочные проводники следует располагать на подложке не ближе 500 мкм от ее края.

В пленочных конденсаторах нижняя обкладка должна выступать за край верхней обкладки на 200 мкм, при этом пленка диэлектрика должна выступать за край нижней обкладки также на 200 мкм. Ширина отвода от нижней обкладки конденсатора должна быть не менее 400 мкм.

Чтобы обеспечить соединение между разными пленочными слоями, необходимо предусматривать перекрытие этих слоев не менее чем на 200 мкм. Величина перекрытия слоев должна быть показана на эскизе топологии. Контактные площадки резисторов должны перекрывать резистивный слой и выступать по бокам за его края не менее чем на 200 мкм. Ширина резисторов и соединительных проводников должна быть не менее 200 мкм. Резисторы с номиналом более 5000 Ом следует проектировать из нескольких одинаковых последовательно соединенных резистивных пленок.

При выполнении топологии входы и выходы микросборки рекомендуется разнести на противоположные стороны подложки. Если по заданию на подложке должны располагаться две микросборки, то необходимо их компоновать таким образом, чтобы элементы одной не находились среди элементов другой.

Недопустима многослойная компоновка пленочных элементов и соединительных проводников с изоляцией между ними пленкой диэлектрика.

Эскиз топологии микросборки выполняется на миллиметровой бумаге в масштабе 10:1. На эскизе должна быть показана поверхность подложки со всеми нанесенными на нее слоями. Каждый слой обозначается соответствующей штриховкой. Вид штриховки должен быть расшифрован в таблице, помещенной на поле эскиза. Все элементы микросборок, изображенные на эскизе, включая выводные контактные площадки, должны иметь буквенно-цифровые обозначения, соответствующие принципиальной схеме.

Разработка технологии изготовления микросборки должна включать изложение физических основ заданного технологического метода, схему технологического процесса, описание последовательности технологических операций и оценку качества разработанного технологического процесса.

Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 ||










© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.