WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


Pages:     | 1 | 2 ||

Вопросы 1. Что такое доза имплантации 2. Нарисуйте идеальную высокочастотную C-V характеристику с полупроводником p-типа (n-типа ).

3. Как изменитсяидеальная C-V характеристика МОП структуры с подложкой pтипа (n-типа) при наличии положительного (отрицательного) заряда в окисле 4. Как изменитсяидеальная C-V характеристика МОП структуры с подложкой p-типа (n-типа) при наличии положительной (отрицательной) разности работ выхода 5. Почему исходные ионно-имплантированные профили в каждой среде аппроксимируютсянеусеченной гауссианой при построении в двухслойной структуре результирующего распределения по методу составных профилей 6. В чем физическая причина возникновения скачка концентрации на границе раздела двух сред при ионной имплантации многослойных структур Какой знак может иметь этот скачок 7. Почему при определении параметра G не учитывается заряд в окисле и разность работ выхода металл-полупроводник в тестовой МОП структуре ЛИТЕРАТУРА 1. Березин Б.И., Мочалкина О.П. Технология и конструирование интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1992. – 319 с.

2. Бронштейн И.Н., Семендяев К.А. Справочник по математике. – М.: Наука, 1986. – 320 с.

3. Буренков А.Ф., Крупнов Ю.Т., Курьязов В.Д. Аналитическая модель для построения глубинных профилей внедрения примеси при ионной имплантации.

– Микроэлектроника. – 1992. – Т.21, вып.2. – С. 94 – 97.

4. Курносов А.И., Юдин Б.Б. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. – М.: Высшая школа, 1986. – 388 с.

5. Матсон Э.А. Конструирование и расчет микросхем и элементов ЭВА. – Минск:

Вышейшая школа, 1979. – 192 с.

6. Пичугин И.Г., Таиров Ю.Н. Технология полупроводниковых приборов. – М.:

Высшая школа, 1984. – 288 с.

7. Плис А.И., Сливина Н.А. Лабораторный практикум по высшей математике, – М.: Высшая школа, 1994. – 416 с.

8. Риссел У., Руге И. Ионная имплантация. – М.: Наука, 1983. – 322 с.

9. Таблицы параметров пространственного распределения ионно - имплантированных примесей. /Буренков А.Ф. и др. – Минск: Изд-во БГУ, 1980. – 288 с.

10. Технология СБИС. В 2 - х кн. / Под ред. Зи С. – М.: Мир, 1986. – Т. 1. – 404 с.;

Т. 2. – 433 с.

11. Асессоров В.В. Математическое моделирование распределений ионноимплантированных примесей. – Воронеж: ВГУ, 2002. – 100 с.

Составили: Быкадорова Галина Владимировна Гольдфарб Владимир Абрамович Дикарев Владимир Иванович Левин Александр Юрьевич Асессоров Валерий Викторович Редактор: Бунина Т.Д.

Pages:     | 1 | 2 ||






















© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.